Pojedyncze chipy Samsung V-NAND oferują pojemność 128 gigabitów (Gb). Wykorzystano w nich opracowaną przez koreańską firmę pionową strukturę komórek pamięci w oparciu o technologię 3D Charge Trap Flash (CTF) oraz technologię procesu pionowego wiązania, umożliwiającą łączenie trójwymiarowych układów komórek. Dzięki zastosowaniu obu tych technologii pamięć 3D V-NAND umożliwia ponad dwukrotną miniaturyzację w porównaniu z płaską pamięcią flash klasy 20 nm.
Nowa technologia Samsung V-NAND umożliwia pionowe układanie płaskich warstw komórek w nowe, trójwymiarowe konstrukcje. W tym celu Samsung zmodernizował architekturę CTF, opracowaną po raz pierwszy w 2006 roku. W ramach architektury NAND flash bazującej na modelu CTF, ładunek elektryczny zostaje tymczasowo uwięziony w komorze otoczonej nieprzewodzącą powierzchnią z azotku krzemu (SiN), zamiast korzystać ze swobodnej bramki zapobiegającej interferencjom pomiędzy sąsiadującymi komórkami pamięci.
Nowa pamięć 3D V-NAND charakteryzuje się dwukrotnie wyższą prędkością zapisu w porównaniu z konwencjonalnymi pamięciami NAND flash w technologii 10 nm ze swobodnymi bramkami.
Autorska technologia procesu łączenia umożliwia ułożenie w pionie do 24 warstw komórek pamięci dzięki specjalnej technologii trawienia, łączącej warstwy poprzez ich perforację - od warstwy najwyższej do podstawy. Dzięki nowej, pionowej strukturze Samsung może projektować produkty z pamięciami NAND flash o większej pojemności, powiększając trójwymiarowe warstwy komórek bez konieczności dalszej miniaturyzacji na płaszczyźnie.
Samsung podaje, że po prawie 10 latach badań nad 3D Vertical NAND posiada na całym świecie ponad 300 zgłoszeń patentowych w zakresie pamięci 3D.
