Jak podaje Samsung, w porównaniu z poprzednią pamięcią 8 Gb LPDDR4 w klasie wykonania 20 nm, wersja 12 Gb jest o ponad 30% szybsza, osiągając 4266 Mbps. Jest także dwukrotnie szybsza od DRAM DDR4 dla komputerów PC (prędkość przetwarzania pamięci DRAM DDR4 komputera PC na pin wynosząca 2133 Mbps). Ponadto wydajność produkcji 12 Gb LPDDR4 zwiększono o ponad 50% w porównaniu do pamięci 8 Gb LPDDR4 w klasie wykonania 20 nm.
Pamięć 12 Gb LPDDR4 umożliwia utworzenie 3- lub 6-gigabajtowych (GB) pakietów pamięci mobilnych DRAM, odpowiednio z dwoma lub czterema mikroukładami. Pakiet 6 GB wykonany przy użyciu nowych 12 Gb pamięci LPDDR4 można wpasować w to samo miejsce wykorzystywane do dostępnych obecnie pakietów 3 GB LPDDR4.
Poprzez rozszerzenie linii dużej pojemności pamięci opartych na 12 Gb LPDDR4, Samsung planuje wzmocnienie konkurencyjności swojego asortymentu produktów DRAM w klasie wykonania 20 nm (12 Gb / 8 Gb / 6 Gb / 4 Gb).
